半導体レーザ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317954
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181378
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】短波長半導体レーザにおける特性を改善する。【構成】直接遷移Γ点エネルギが間接遷移X点エネルギに接近した材料により発光活性層が形成される短波長半導体レーザで、n型不純物ドープによって5×1018/cm3 以上の電子濃度を設定し、発光活性層の伝導帯の電子密度を過剰にするバンドフィリング効果を容易に引き起こさせる。このとき、発光活性層を多重量子井戸構造とし、不純物散乱の影響を受けないように、量子障壁層にn型不純物を変調ドープする。【効果】n型不純物をドーピングしない従来素子に比べて、閾値電流を2/3に、内部量子効率を2倍以上に改善させた高効率のレーザ素子を得た。

請求項（抜粋）：

半導体発光活性層において、間接遷移を示すXバンド構造に十分キャリアを充満させてバンドフィリング(Band Filling)効果を引き起こし、直接遷移Γバンド構造から前記間接遷移Xバンド構造へ移行するキャリアを抑制することにより、前記直接遷移Γバンド構造にキャリアが閉じ込められるバンド構造を形成し、前記バンド構造の前記直接遷移Γバンド構造から発光する遷移確率が増大してレーザ動作することを特徴とする半導体レーザ素子。

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