特許

J-GLOBAL ID：200903008789846533

光起電力素子アレーの製造方法

発明者： 水谷 匡希 ,  中川 克己
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062818
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260695
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 レーザー照射によって直列接続する光起電力素子アレーのシリーズ抵抗の増大を抑制し、変換効率が高く、耐久性を向上した光起電力素子アレーの製造方法を提供する。【解決手段】 金属層を形成する第1工程と、少なくともフッ素を含む第1の透明導電層を形成する工程2と、前記金属層及び前記透明導電層を電気的に分離したn個の領域、A1 からAn に形成する第3工程と、光電変換層を形成する第4工程と、第2の透明導電層を形成し、前記第2の透明導電層を前記A1 からAnに対応して電気的に分離した領域B1 からBn に形成する第5工程と、前記第1の透明導電層の領域Ai と前記第2の透明導電層の領域Bi+1 (1≦i≦n-1)をレーザー照射によって電気的に接続する第6工程と、を含むことを特徴とする光起電力素子アレーの製造方法。

請求項（抜粋）：

金属層を形成する第1工程と、少なくともフッ素を含む第1の透明導電層を形成する工程2と、前記金属層及び前記透明導電層を電気的に分離したn個の領域、A1 からAn に形成する第3工程と、光電変換層を形成する第4工程と、第2の透明導電層を形成し、前記第2の透明導電層を前記A1 からAn に対応して電気的に分離した領域B1 からBn に形成する第5工程と、前記第1の透明導電層の領域Ai と前記第2の透明導電層の領域Bi+1 (1≦i≦n-1)をレーザー照射によって電気的に接続する第6工程と、を含むことを特徴とする光起電力素子アレーの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 光起電力素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-280168   出願人：キヤノン株式会社
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-247452   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平1-194208
  
• 特表平6-506266
  
• 特開昭61-260681