特許

J-GLOBAL ID：200903008790103200

流量制御方法とその制御装置並びにこの制御装置を備えた除害装置

発明者： 福田 高雄 ,  西脇 秋史
出願人/特許権者： エフテック株式会社 ,  西脇 秋史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-376159
公開番号（公開出願番号）：特開2001-154739
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 常圧CVD装置から排出される排ガスの差圧流量の検出値に圧力補正及び温度補正の演算処理を行ない、この演算値に基づいて常圧CVD装置から吸引される空気の流量が一定になるようにブロワーの回転を制御して、吸引される空気の流量を一定に保たせて、常圧CVD装置を用いた半導体ウエハーの製造時に必要な成膜ガスと空気の混合比率が一定になるようにし、半導体ウエハー表面に所望の規格内の酸化膜質が得られるようにすること。【解決手段】 常圧CVD装置3から排出される排ガスの差圧流量の検出値に圧力補正及び温度補正の演算処理を行ない、この演算値に基づいて常圧CVD装置3から吸引される空気の流量が一定になるように該装置3と連通するブロワー21の回転を制御して、常圧CVD装置3を用いたウエハー2の製造時に必要な成膜ガスと空気の混合比率を一定に保たせて、ウエハー2表面に所望の規格内の酸化膜質が得られるようにする。

請求項（抜粋）：

常圧CVD装置から排出される排ガスの差圧流量の検出値に圧力補正及び温度補正の演算処理を行ない、この演算値に基づいて常圧CVD装置から吸引される空気の流量が一定になるように該装置と連通するブロワーの回転を制御して、常圧CVD装置を用いた半導体ウエハーの製造時に必要な成膜ガスと空気の混合比率を一定に保たせて、半導体ウエハー表面に所望の規格内の酸化膜質が得られるようにすることを特徴とする流量制御方法。

IPC (2件)：

G05D 7/06 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

G05D 7/06 Z ,  H01L 21/205

Fターム (30件)：

5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AE29 ,  5F045BB08 ,  5F045BB20 ,  5F045DP23 ,  5F045EE12 ,  5F045EG02 ,  5F045EG06 ,  5F045EG08 ,  5F045GB06 ,  5F045GB16 ,  5H307AA20 ,  5H307BB01 ,  5H307DD06 ,  5H307DD07 ,  5H307DD08 ,  5H307EE02 ,  5H307EE15 ,  5H307EE22 ,  5H307EE25 ,  5H307ES06 ,  5H307FF03 ,  5H307FF12 ,  5H307FF13 ,  5H307FF15 ,  5H307FF27 ,  5H307GG01 ,  5H307HH04 ,  5H307JJ03