特許
J-GLOBAL ID：200903008792275881
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-023137
公開番号（公開出願番号）：特開2005-217255
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 放熱性を向上させた半導体レーザを提供すること。【解決手段】 この半導体レーザのメッキ金属層112の上面は、略平坦に形成されているので、このメッキ金属層112の上面をヒートシンクに融着するときに、上記半導体レーザと上記ヒートシンクとの接触面積が大きくなって、放熱性が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
この半導体基板上に設けられると共に少なくとも活性層を含む積層体と、
この積層体上に順に積層されたクラッド層およびコンタクト層を含むと共に電流通路となるリッジストライプ部と、
上記リッジストライプ部の側面、および、上記リッジストライプ部の横側の上記積層体の上面に設けられると共に誘電体からなる電流阻止層と、
上記リッジストライプ部の上面、および、上記電流阻止層を覆うメッキ金属層と
を備え、
このメッキ金属層の上面は、略平坦であることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
5F073AA13
, 5F073AA53
, 5F073AA55
, 5F073AA72
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073CB22
, 5F073CB23
, 5F073DA30
, 5F073EA29
, 5F073FA11
出願人引用 (1件)
審査官引用 (13件)
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