特許

J-GLOBAL ID：200903008794096534

化合物半導体のパッシベーション膜

発明者： 知野 豊治 ,  松田 賢一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045332
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243209
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体のパッシベーション膜を形成し、リーク電流を低減する。【構成】 弗化アンモニウム水溶液または塩化アンモニウム水溶液の濃度、浸漬時間を制御しながら化合物半導体を前記溶液中に浸漬し、弗化物または塩化物からなるパッシベーション膜を形成する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体をpH、温度、弗素イオン濃度が制御された弗素イオンを含む中性或はアルカリ性溶液に浸漬して形成される前記化合物半導体を構成するIII族の弗化物と前記化合物半導体表面に吸着した弗素原子層とから成ることを特徴とするパッシベーション膜。