特許

J-GLOBAL ID：200903008795107521

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： ドナルド・イー・アックレイ ,  ピアジェ・エム・ホルム
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262724
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218574
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、低い熱抵抗および低い直列抵抗を有する平面的な半導体レ-ザを形成することを目的とする。【構成】 半導体レ-ザは、光学導波路および導電性領域26によって提供される横型電流注入路を有する。導電性領域は、活性層18およびレ-ザの第1の1/4ウェ-ブ・スタック14を不規則化し、電流の流れに依存しない光学導波路の制御を可能にする。導電性領域を形成することによって、本発明によるレ-ザは、安定した光学特性と弱く組み込まれた導波路による大きな放出スポットとを有し、その結果、高出力,低熱抵抗および低抵抗であるデバイスとなる。

請求項（抜粋）：

第1導電性の基板を含む支持構造(10);前記支持構造(10)上に形成される前記第1導電性の第1の1/4ウェ-ブ・スタック(14);前記第1の1/4ウェ-ブ・スタック(14)上に形成され、特定の動作波長の1/2の倍数の厚さを有する活性層(18);前記活性層(18)上に形成され、前記特定の動作波長の1/2の倍数の厚さを有する第2導電性の分散層(20);前記分散層(20),前記活性層(18)および前記第1の1/4ウェ-ブ・スタック(14)の一部分内に形成される第2導電性の領域(26);および前記分散層(20)の一部分上に形成される第2の1/4ウェ-ブ・スタック(24);から構成されることを特徴とする特定の波長で動作する半導体レ-ザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-199679
  
• 特開平1-266779
  
• 特公平1-051074
  
• 特開昭63-086883