特許
J-GLOBAL ID：200903008796972595
レジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
米澤 明 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267672
公開番号（公開出願番号）：特開平5-107770
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 レジストの裾部分での食い込み現象を防止し、断面が垂直なレジストパターンを形成する。【構成】 基板面に架橋密度が大きなレジストパターンが得られる第1のレジスト層を形成した後に、第1のレジスト層よりも架橋密度が小さなレジストパターンが得られる第2のレジスト層を少なくとも1層を形成し、基板上に多層のレジスト層を設けた後に露光することを特徴とするレジストパターンの形成方法であり、レジストとして化学増幅型レジストを用いる場合には、酸発生剤の濃度の大小で架橋密度の大小を調整することができる。
請求項（抜粋）：
基板上にレジストパターンを形成する方法において、基板面に架橋密度が大きなレジストパターンが得られる第1のレジスト層を形成した後に、第1のレジスト層よりも架橋密度が小さなレジストパターンが得られる第2のレジスト層を少なくとも1層を形成し、基板上に多層のレジスト層を設けた後に露光することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/038 505
, H01L 21/027
