特許
J-GLOBAL ID：200903008803899815
トンネルトランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053470
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263708
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 大きな電流密度が得られ、高速動作可能なトンネルトランジスタを提供する。【構成】 低キャリア濃度の基板1上に第1の導電型を有するソース領域2と、ソース領域とは異なる導電型を有し縮退した半導体からなるドレイン領域3と、ソース領域と同一導電型を形成するイオン化不純物を1原子層程度に含みソース領域およびドレイン領域を接続して設けられた原子層ドーピング領域4と、原子層ドーピング領域の上に設けられた絶縁層およびその上のゲート電極6と、ソース領域およびドレイン領域に設けられたソース電極7およびドレイン電極8からなる。原子層ドーピング領域には高濃度のイオン化不純物が存在するため、ドレイン領域との間のトンネル接合が非常に狭くなり、大きなトンネル電流が流れる。
請求項（抜粋）：
低キャリア濃度の基板上に第1の導電型を有するソース領域と、ソース領域とは異なる導電型を有し縮退した半導体からなるドレイン領域と、ソース領域と同一導電型を形成するイオン化不純物を1原子層程度に含みソース領域およびドレイン領域を接続して設けられた原子層ドーピング領域と、原子層ドーピング領域の上に設けられた絶縁層およびその上のゲート電極と、ソース領域およびドレイン領域に設けられたソース電極およびドレイン電極とからなることを特徴とするトンネルトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/80 A
, H01L 29/78 301 J
