特許
J-GLOBAL ID：200903008804290270
エピタキシャルウェーハおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280118
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132229
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 熱応力に起因するクロスハッチの少ないエピタキシャルウェーハを提供する。【構成】 InP基板1上にMOCVD法によりエピタキシャル層を成長させるに際し、InPウィンドウ層4の成長速度を1.0μm/hr以下とし、成長後300°Cまでの冷却速度を0.25°C/hr以下にして成長させる。
請求項（抜粋）：
ウェーハの外周からウェーハ直径の5%以上の領域にクロスハッチを有しないことを特徴とするInPエピタキシャルウェーハ。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 31/10
, H01L 33/00
