特許

J-GLOBAL ID：200903008804536147

半導体装置の製造方法

発明者： 立川 祐滋
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-092720
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284207
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 従来のプリウエット液を用いた現像方法では、現像液の滴下衝撃によるレジスト膜へのダメージに対して効果があるものの、スループットの低下と材料費の増加による製造コストの増加という問題点がある。【解決手段】 半導体基板1表面にレジスト膜2を形成し、プリウエット液5を滴下後、現像液7を滴下する工程と、レジスト膜2を溶解した現像液7をリンス液6と置換する工程とを有する半導体装置の製造方法において、プリウエット液供給ノズル10のプリウエット液5の吐出口形成領域10aが半導体基板1の直径以上の長さを有し、且つ、吐出口11の開口面積が吐出口形成領域の端部に比べて中央部の方が大きくなっている。

請求項（抜粋）：

ウエハ状態の半導体基板表面にレジスト膜を形成し、プリウエット液を滴下後、現像液を滴下する工程と、レジスト膜を溶解した前記現像液をリンス液と置換する工程とを有する半導体装置の製造方法において、プリウエット液供給ノズルのプリウエット液の吐出口形成領域が前記半導体基板の最大幅以上の長さを有し、且つ、前記吐出口の開口面積が前記吐出口形成領域の端部に比べて中央部の方が大きくなっていることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30 502

FI (2件)：

G03F 7/30 502 ,  H01L 21/30 569 C

Fターム (8件)：

2H096AA25 ,  2H096FA05 ,  2H096GA08 ,  2H096GA17 ,  2H096GA29 ,  2H096GA60 ,  5F046LA04 ,  5F046LA14