導電体層形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-048034
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018118
出願日： 1996年02月09日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【課題】ポリイミド層を用いて、基板上に導電体層を形成するための改善された方法を提供する。【解決手段】基板100の上面上にシード層110を形成し、シード層110を予め定められた形状にパターニングし、基板の、パターニングされたシード層120によりカバーされない部分の上、及びパターニングされたシード層120上にポリイミド層130を形成し、ポリイミド層130の、パターニングされたシード層120上の部分に光ビームを照射し、その部分を現像することによってパターニングされたシード層120を露出させる。更に、ポリイミド層130の残りの部分を適切な条件下で硬化させることによって絶縁体に変化させ、その上で、露出され、パターニングされたシード層120上に導電体層140を電気めっきする。

請求項（抜粋）：

上面を有する基板上に導電体層を形成するための方法であって、前記基板の前記上面上にシード層を形成する第1過程と、前記シード層を予め定められた形状にパターニングする第2過程と、前記基板の、前記パターニングされたシード層によりカバーされない部分の上、及び前記パターニングされたシード層上にポリイミド層を形成する第3過程と、前記ポリイミド層の、前記パターニングされたシード層上に形成された部分に光ビームを照射する第4過程と、前記ポリイミド層のシード層上の部分を現像することによって、前記パターニングされたシード層を露出させる第5過程と、前記ポリイミド層の残りの部分を適切な条件下で硬化させることによって、絶縁体に変える第6過程と、前記露出された前記パターニングされたシード層上に前記導電体層を電気めっきする第7過程とを含むことを特徴とする導電体層形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/18 , H01L 21/3205 , H05K 3/24

FI (3件)：

H05K 3/18 E , H05K 3/24 A , H01L 21/88 K

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