特許

J-GLOBAL ID：200903008816808509

プラズマ処理方法及び装置

発明者： 渡辺 一弘 ,  生田 美植 ,  遠藤 光広
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-122869
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316210
出願日： 1995年05月22日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 ダストの問題及び膜の付着の問題を解決して高密度でしかも高い均一性のプラズマを生成できるプラズマソースを提供すること。【構成】 真空チャンバを画定している誘電体壁の外側に高周波電流を流すことのできる高周波アンテナを設け、この高周波アンテナと誘電体部材との間にプラズマと静電的に結合させる電極を設けることから成る。

請求項（抜粋）：

真空チャンバのプラズマ生成領域を画定する誘電体部材の外側に高周波電流を流すことのできる少なくとも一つの高周波アンテナを設け、この高周波アンテナと誘電体部材との間にプラズマと静電的に結合させる電極を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特表平5-502971
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037640   出願人：日電アネルバ株式会社, 庄司多津男
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-240663   出願人：東京エレクトロン株式会社