特許
J-GLOBAL ID：200903008818796370
膜の作製方法および膜の改質方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-208791
公開番号（公開出願番号）：特開平8-077845
出願日： 1994年09月01日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗、高透過率の透明導電膜の作製方法を提供すること。【構成】 錫添加酸化インジウム(ITO)膜、酸化インジウム膜あるいは酸化錫膜の作製中あるいは作製後に、He、Ne、Ar、Kr、Xeのうちの少なくとも1元素から成る粒子線を透明導電膜に照射する。粒子線のエネルギーは、成膜温度と、結晶化温度とに応じて決定する。結晶化温度との差が大きい場合には、粒子線のエネルギーを大きくする。結晶化温度との差が小さい場合には、粒子線のエネルギーを小さくする。
請求項（抜粋）：
膜の作製方法において該膜は、錫添加酸化インジウム膜、酸化インジウム膜または酸化錫膜であり、酸素ガスを含む雰囲気中で前記膜を成膜しつつ、該膜に、He、Ne、Ar、Kr、Xeのうちの少なくとも1元素から成る粒子線を照射すること、を特徴とする膜の作製方法。
IPC (3件)：
H01B 13/00 503
, C23C 14/08
, H01B 5/14
