特許

J-GLOBAL ID：200903008827392240

面発光レーザ装置

発明者： 忠永 修 ,  舘野 功太 ,  植之原 裕行 ,  香川 俊明 ,  天野 主税
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232601
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060739
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 光導波構造を円形のままで<2~33~>方向と<01~1~>方向の閾値キャリア密度差をさらに大きくすることにより、動特性においても安定した偏光特性を示す面発光レーザ装置を得る。【解決手段】 面方向が(100)面から(011)面もしくは(011~)面方向へ15°〜40°傾斜したGaAs基板上にエピタキシャル成長により形成された上下の多層膜からなる分布帰還型反射鏡とその間に挟まれた量子井戸からなる活性層を有する面発光レーザ装置において、前記活性層は圧縮歪みが導入されたInAlGaAs又はInGaAsPからなる井戸層を有する多重量子井戸である。

請求項（抜粋）：

面方位が(100)面から(011)面もしくは(011~)(1~は1の上にバーを付したものを表す)面方向へ15°〜40°傾斜したGaAs基板上にエピタキシャル成長により形成された上下の多層膜からなる分布帰還型反射鏡とその間に挟まれた量子井戸からなる活性層を有する面発光レーザ装置において、前記活性層は圧縮歪みが導入されたInAlGaAs又はInGaAsPからなる井戸層を有する多重量子井戸であることを特徴とする面発光レーザ装置。

Fターム (7件)：

5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073AB28 ,  5F073CA13 ,  5F073CA15 ,  5F073CB02 ,  5F073EA22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-071518   出願人：株式会社日立製作所
• 面発光半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-304935   出願人：富士通株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構