特許

J-GLOBAL ID：200903008838058546

半導体装置及びその製法

発明者： 小川 敏夫 ,  高橋 正昭 ,  合田 正広 ,  神村 典孝 ,  丹波 昭浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196968
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031338
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の高信頼性を確保し、かつ該装置の低熱抵抗化を実現する。【解決手段】リードフレームの隅角部及びもしくは断面角部に面取りを施し、該面取り寸法を特定に確保して、該リードフレームを樹脂絶縁層及びベース基板と一体化した構造とするにより、高信頼性かつ低熱抵抗の半導体装置を低価格で出来る。

請求項（抜粋）：

主回路部、主面1及び主面2とを有し、かつ平面投影図中に少なくとも1つの隅角部を有するリードフレーム及び樹脂絶縁層とを含み、該主回路部はスイッチング用半導体素子がリードフレームの主面1上に固着して構成され、該リードフレームの主面2に面して該樹脂絶縁層が形成された構造を有する半導体装置において、該リードフレームの少なくとも1つの該隅角部に面取りを施したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/48

FI (2件)：

H01L 23/28 A ,  H01L 23/48 G

Fターム (16件)：

4M109AA02 ,  4M109BA02 ,  4M109CA21 ,  4M109DB02 ,  4M109EA03 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB12 ,  4M109ED01 ,  4M109EE06 ,  4M109FA02 ,  4M109GA05