特許
J-GLOBAL ID：200903008838774632
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231460
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061252
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 MOSFET等の半導体装置およびその製造方法において、ホットキャリアがゲート酸化膜に注入されて新たにキャリアの捕獲中心が生成されるのを抑制する。【構成】 ゲート酸化膜4形成の前あるいは後に、イオン注入装置により、水素,水素化合物,ハロゲン、あるいはハロゲン化合物を半導体基板1の主面に導入することにより、ゲート酸化膜4中の界面準位,固定電荷,捕獲中心等の密度を減少させ、ホットキャリアのゲート酸化膜4への注入による新たな構造欠陥の形成を抑制させる。このゲート酸化膜4を使用することにより、ゲートしきい値電圧の変動が少ない、即ちホットキャリアによる劣化に対する耐性があるMOSFET等の半導体装置を得る。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの主面に水素,水素化合物,ハロゲンあるいはハロゲン化合物をイオン注入装置により導入する工程と、その後、上記半導体ウエハの主面に酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
