特許
J-GLOBAL ID：200903008844250440
II-VI族半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243406
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097504
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、良好なオーム性接触を得ることが可能な電極を有するII-VI族半導体発光素子を提供する。【構成】 本発明のII-VI族半導体発光素子1は、p型の伝導型を有するII-VI族半導体の発光素子本体2と、この発光素子本体2のp型の伝導型内に拡散領域を形成するLi層7とAu、Ag、Ptから選ばれる金属又はこれらの合金の電極層とからなる電極3とを有する。この構成により、Li層7によりp型の伝導型内に拡散領域が形成され、p型の伝導型との間の接触特性が良好なオーム接触となる電極3を有するII-VI族半導体発光素子1を提供することができる。
請求項（抜粋）：
p型の伝導型を有するII-VI族半導体の発光素子本体と、この発光素子本体のp型の伝導型内に拡散領域を形成するLi層とAu、Ag、Ptから選ばれる金属又はこれらの合金の電極層とからなる電極とを有することを特徴とするII-VI族半導体発光素子。
引用特許：
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