特許
J-GLOBAL ID:200903008848247304

x型無金属フタロシアニンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-283636
公開番号(公開出願番号):特開平11-116838
出願日: 1997年10月16日
公開日(公表日): 1999年04月27日
要約:
【要約】【課題】 従来のx型H2-Pcの製造技術をさらに改良することによって、有機感光体の電荷発生剤に適した高純度x型H2-Pcの簡便な製造方法を提供すること。【解決手段】 アモルファス様α型無金属フタロシアニンを乾式ミリングしてx型無金属フタロシアニンを一部生成させる工程;及び、得られた結晶混合物を、アミド部分を有する環状構造の有機溶媒の存在下で湿式ミリングもしくは撹拌分散させる工程;を包含するx型無金属フタロシアニンの製造方法。
請求項(抜粋):
アモルファス様α型無金属フタロシアニンを乾式ミリングしてx型無金属フタロシアニンを一部生成させる工程;及び、得られた結晶変態混合物を、アミド部分を有する環状構造の有機溶媒の存在下で湿式ミリングもしくは撹拌分散させる工程;を包含するx型無金属フタロシアンの製造方法。
IPC (5件):
C09B 67/50 ,  C09B 47/30 ,  C09B 67/04 ,  C09B 67/12 ,  G03G 5/06 370
FI (5件):
C09B 67/50 Z ,  C09B 47/30 ,  C09B 67/04 ,  C09B 67/12 ,  G03G 5/06 370
引用特許:
審査官引用 (1件)

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