特許

J-GLOBAL ID：200903008848700904

低電力実装設計

発明者： チャールズ ヒューイット
出願人/特許権者： ハリス コーポレイション
代理人 (1件)： 柏原 三枝子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221075
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082816
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】 消費電力の小さい半導体装置のパーケージを提供する。【解決手段】 コネクタ20は従来のリードフレームメタルシートに形成されたドレインコンタクト用のストラップ21を有する。シートはパンチされて、パワーMOSFET装着用の面と共にベントエッジタブコンタクト22,24を形成する。ベントエッジタブコンタクト22,24は、装着されている装置の背面側から、装置90の上側を含む面にドレイン電流を流す。

請求項（抜粋）：

第1及び第2の平面を有する半導体基板を具えるMOSFETにおいて、前記第1の平面にソース領域、チャネル領域及び、前記チャネル領域を覆う絶縁層を設け、前記第2の平面に当該第2の面をほぼ覆うように延在するドレイン領域を設け、前記第2の平面上に前記ドレイン領域をほぼ覆うドレインコンタクトを設けたことを特徴とするMOSFET。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/60 ,  H01L 29/41

FI (4件)：

H01L 29/78 652 L ,  H01L 21/60 ,  H01L 29/44 B ,  H01L 29/78 652 Q