特許

J-GLOBAL ID：200903008851617244

セラミック薄膜層の形成方法

発明者： 間瀬 恵二 ,  神田 真治
出願人/特許権者： 株式会社不二製作所
代理人 (1件)： 小倉 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-123043
公開番号（公開出願番号）：特開2000-313970
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

(57)【課題】【課題】安全に簡単なプロセスで基板を連続加工できる10μm以下の薄いセラミック層を形成する薄膜層の形成方法を提供する。【解決手段】金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硼化物、金属硫化物等のセラミックの粒径が100nm以下の超微粉末を風速が20m/sec以上の圧縮気体との混合流体として噴射することにより、金属、セラミック、ガラス、シリコンウェハー、水晶、化合物半導体、プラスチック等の表面へ膜厚が10μm以下のセラミック薄膜層を形成する。

請求項（抜粋）：

金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硼化物、金属硫化物等のセラミックの粒径が100nm 以下の超微粉末を風速が20m/sec 以上の圧縮気体との混合流体として噴射することにより、金属、セラミック、ガラス、シリコンウェハー、水晶、化合物半導体、プラスチック等の表面へ前記セラミックを膜厚が10μm以下で付着させることを特徴とするセラミック薄膜層の形成方法。

Fターム (9件)：

4K044AA01 ,  4K044AA11 ,  4K044AA16 ,  4K044BA12 ,  4K044BA18 ,  4K044BA19 ,  4K044CA23 ,  4K044CA29 ,  4K044CA51

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-221382