特許
J-GLOBAL ID：200903008852235922
有機半導体によるスイッチング素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-077193
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288774
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】有機半導体材料によるスイッチング素子におて、水蒸気やガスを遮断するとともに低温で保護膜を形成する。【解決手段】ガラス基板などガスを通さない基板材料101上に、カソード電極102を形成し、その上に有機半導体材料104を形成し、その上にアノード電極103を形成する。有機半導体材料104及びアノード電極103の上に、ポリパラキシリレンパリレン(商標)等のポリパラキシリレンからなる第1保護層111を塗布または成膜により形成する。さらにセラミックスからなるSiO2などの第2保護層112を塗布または成膜により形成する。基板材料101側にガスや水蒸気を遮断するポリパラキシリレンやセラミックスからなる遮断膜を形成してもよいし、基板材料101の裏面にポリパラキシリレンからなる湿気遮断膜やセラミックスからなるガス遮断膜を形成してもよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板材料を有し、前記基板材料の上にカソード電極としての導伝体がパターニングされ、前記カソード電極の上に、電気的に接続した有機半導体材料を塗布してあり、該有機半導体材料上に電気的に接続される導伝体によるアノード電極が形成され、かつ、前記有機半導体材料部分が露出した該有機半導体材料部分を外気遮蔽するようにポリパラキシリレンを、該有機半導体材料部分を覆うように形成したことを特徴とする有機半導体によるスイッチング素子。
IPC (4件)：
H01L23/29
, H01L23/31
, H01L49/02
, H01L51/00
H01L23/30 D
, H01L49/02
, H01L29/28
4M109AA02
, 4M109BA07
, 4M109DB17
, 4M109ED01
