特許

J-GLOBAL ID：200903008853412186

フラックス残渣の処理方法

発明者： 市川 克之 ,  清水 俊幸
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235704
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050858
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 水を基材としたフラックスの残渣を処理することにより、電子回路基板の絶縁信頼性を向上させる。【解決手段】 水を基材としたフラックスを用いた半田付けによって部品が実装された電子回路基板に対するフラックス残渣を処理する。電子回路基板を100°C〜260°Cで加熱してフラックス残渣を親水性の強い状態から弱い状態または疎水性に改質する。

請求項（抜粋）：

水を基材としたフラックスを用いた半田付けによって部品が実装された電子回路基板に対するフラックス残渣を処理する方法であって、前記フラックス残渣を親水性の強い状態から弱い状態または疎水性に改質することを特徴とするフラックス残渣の処理方法。

IPC (3件)：

H05K 3/34 503 ,  B23K 1/00 ,  B23K101:42

FI (3件)：

H05K 3/34 503 Z ,  B23K 1/00 F ,  B23K101:42

Fターム (3件)：

5E319BB05 ,  5E319CD21 ,  5E319GG20