特許

J-GLOBAL ID：200903008854676683

半導体装置の製造方法

発明者： 河北 哲郎 ,  松村 和彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-031789
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232318
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 チップ状態で突起電極17を形成でき、製造コストの低減を図ることができる。【解決手段】 半導体チップ10の突起電極を形成するAl電極11上の酸化膜12を除去し、酸化膜12を除去したAl電極1上を置換金属13で置換し、半導体チップ10をオルガノシランを含む溶液に浸漬し置換金属13で置換したAl電極11上を除く表面にオルガノシラン14を化学吸着させ、半導体チップ10を熱処理し、半導体チップ10を無電解めっき液に浸漬して置換金属13で置換したAl電極11上に選択的に電極金属15,16を析出させて突起電極17を形成するものである。

請求項（抜粋）：

半導体チップの突起電極を形成するAl電極上の酸化膜を除去する工程と、酸化膜を除去したAl電極上を置換金属で置換する工程と、前記半導体チップの前記置換金属で置換したAl電極上を除く表面に耐めっき性保護膜を付着させる工程と、前記半導体チップを無電解めっき液に浸漬して前記置換金属で置換したAl電極上に選択的に電極金属を析出させて突起電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 603 A ,  H01L 21/92 604 D