特許

J-GLOBAL ID：200903008858417909

半導体装置及びその製造方法

発明者： 野一色 孝行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334160
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141436
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップ内の熱の移動を容易にし、半導体装置の放熱性を向上させる。【解決手段】 半導体チップには半導体基板の素子形成面に形成された層間絶縁膜上に接続端子を形成し、該半導体チップの接続端子と配線基板の接続端子とを対向させて電気的に接続する半導体装置において、前記半導体チップの電源用の接続端子を、金属を用いた配線によって直線状に半導体基板に接続する。電源用の配線を通じて、半導体チップの発生する熱を効率よく移動させることができるので、半導体チップの温度上昇を抑制することができる。このため、マイグレーション耐性が向上し、半導体チップの動作が安定する。

請求項（抜粋）：

半導体チップには半導体基板の素子形成面に形成された層間絶縁膜上に接続端子を形成し、該半導体チップの接続端子と配線基板の接続端子とを対向させて電気的に接続する半導体装置において、前記半導体チップの電源用の接続端子を、金属を用いた配線によって直線状に半導体基板に接続することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/60 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6件)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 602 P ,  H01L 21/92 603 Z ,  H01L 23/12 J ,  H01L 27/04 E

Fターム (8件)：

5F038BE07 ,  5F038BE09 ,  5F038BH16 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CA08 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ20