特許
J-GLOBAL ID：200903008862531465
フォトリソグラフィー構造よりも狭いピッチを有するパターン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野村 泰久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-501908
公開番号（公開出願番号）：特表2008-536297
出願日： 2006年03月03日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
集積回路(100)の異なる大きさの構造を、二つの別個に形成されたパターン(177)および(230)をあわせることによって形成したマスクを用いた基板(110)のエッチングで構成する。第一のパターン(177)の比較的小さい構造(175)を形成するためにピッチマルチプリケーションを用い、第二のパターン(230)の比較的大きな構造を形成するために従来のフォトリソグラフィーを用いる。フォトレジストをパターン化して、その後、そのパターンをアモルファスカーボン層にエッチングするによって、ピッチマルチプリケーションを行う。その後、側壁のスペーサー(175)をアモルファスカーボンの側壁に形成する。そのアモルファスカーボンを除去し、第一のマスクパターン(177)を決定する側壁のスペーサー(175)を残す。その後、平らな表面を形成するために、スペーサー(175)の周辺に底部減反射コーティング(BARC)を付着し、BARCの上にフォトレジスト層を形成する。次に、フォトレジストを、第二のパターン(230)を形成するために、従来のフォトリソグラフィーによってパターン化し、その後、第二のパターン(230)をBARCへ転写する。第一のパターン(177)と第二のパターン(230)から作った、組み合わせたパターン(177、230)を内在するアモルファスシリコン層(150)に転写し、BARCおよびフォトレジスト物質を除去するために、パターンから炭素の除去を行う。その後、組み合わせたパターン(177、230)は酸化ケイ素層(155)に転写され、それからアモルファスカーボンマスク層(160)に転写される。その後、異なる大きさの構造を有する組み合わせたマスクパターン(177、230)を、アモルファスカーボンハードマスク層(160)を通して内在する基板(110)へとエッチングする。【選択図】図17
請求項（抜粋）：
集積回路を製造する方法であって、
基板の上に複数のマンドレルを形成するステップ、
前記マンドレルの側壁にスペーサーを形成するステップ、
前記スペーサーによって決定されるスペーサーパターンを形成するために、前記マンドレルを前記スペーサーに対して選択的に除去するステップ、
平坦な上部表面を形成するために平坦化物質を前記スペーサーの周辺に付着させるステップ、
前記平坦化物質にパターンを形成するステップ、
前記スペーサーのパターンおよび前記平坦化物質中の前記パターンを、内在する上部ハードマスク層に転写し、前記上部ハードマスク層に統合されたパターンを構成するステップ、
前記統合されたパターンを内在する下部ハードマスク層に転写するステップ、ならびに、
前記統合されたパターンを、前記基板を覆っているアモルファスカーボンの層に転写するステップ
を含むことを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01L 21/027
, H01L 21/321
H01L21/302 105A
, H01L21/30 502C
, H01L21/30 514A
, H01L21/88 C
5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA04
, 5F004DA13
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB01
, 5F004DB02
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004DB15
, 5F004DB26
, 5F004DB30
, 5F004EA03
, 5F004EA06
, 5F004EA07
, 5F004EA10
, 5F004EA12
, 5F004EA16
, 5F004EA22
, 5F004EB04
, 5F004EB05
, 5F033HH08
, 5F033HH25
, 5F033HH32
, 5F033QQ07
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ12
, 5F033QQ16
, 5F033QQ28
, 5F033VV16
, 5F033WW01
, 5F033WW03
, 5F033XX03
, 5F046AA11
