特許
J-GLOBAL ID：200903008862874796
磁気検出素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-066594
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264324
出願日： 2002年03月12日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：
【要約】【課題】 CPP型の磁気検出素子において、実効再生トラック幅の広がりを抑え、サイドリーディングの発生を適切に抑制することが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。【解決方法】 多層膜33のトラック幅方向の両側であって、下部シールド層20と上部シールド層37の間にはサイドシールド層35が設けられている。これによって狭トラック化においても、実効再生トラック幅の広がりを抑え、従来に比べてサイドリーディングの発生を抑制することができる磁気検出素子を製造することが可能になる。
請求項（抜粋）：
反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記多層膜の下側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された下部シールド層が設けられ、前記多層膜の上側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された上部シールド層が設けられ、前記多層膜のトラック幅方向の両側であって、前記下部シールド層と上部シールド層間には、サイドシールド層が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/187
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/187
, G01R 33/06 R
2G017AC01
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BB08
, 5D034CA05
, 5E049AA04
, 5E049AC01
, 5E049BA12
