特許

J-GLOBAL ID：200903008867495041

エピタキシャルシリコン単結晶ウエ-ハの製造方法及びエピタキシャルシリコン単結晶ウエ-ハ

発明者： 玉塚 正郎 ,  相原 健 ,  吉田 知佐 ,  三木 克彦 ,  秋山 昌次 ,  八木 真一郎
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051784
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044389
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】【課題】 低ボロン濃度の基板においても高いゲッタリング能力をもち重金属不純物濃度が低く結晶性に優れたエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを、高生産性でかつ簡単に作製する。【解決手段】 エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法。

請求項（抜粋）：

エピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハの表層部にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを製造する方法。

IPC (5件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/322

FI (5件)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 29/06 504 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/208 P ,  H01L 21/322 Y

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201762   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• 特開昭60-251190
  
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-128062   出願人：信越半導体株式会社
• 特開昭60-136218
  
• 特開平1-298726
  
• 半導体装置の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-139688   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• エピタキシャルウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-231025   出願人：コマツ電子金属株式会社
• シリコン単結晶およびエピタキシャルウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-358557   出願人：住友金属工業株式会社