特許

J-GLOBAL ID：200903008877727854

発光半導体デバイス及び方法

発明者： スティーヴン エイ マラノフスキー ,  マイケル ジェイ ルドワイス ,  ポール エス マーティン ,  ダニエル エイ スタイガーウォルド
出願人/特許権者： ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-071026
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243704
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、III-V族窒化物半導体を用いるデバイス及び方法、並びにこれの作動の改良に関する。【解決手段】 本発明の実施形態によれば、発光デバイスは、複数の半導体層と、この層の間の活性領域と、異なる半導体層と接触している第1及び第2金属電極とを含む。発光デバイスはまた、少なくとも1つの電極の表面を被覆するポリマー障壁を含む。いくつかの実施形態において、ポリマー障壁は、発光デバイスの全露出表面を包み込む。いくつかの実施形態において、少なくとも1つの電極は銀であり、障壁は、少なくとも1つの電極と、該電極と接触している半導体層との間における金属の電気化学的マイグレーションを防ぐ。

請求項（抜粋）：

複数の半導体層を有し、前記層の間に活性領域を含む半導体構造と、前記構造における異なる半導体層とそれぞれ接触する第1及び第2伝導性金属電極と、ポリマーからなる障壁と、を備え、前記障壁が、前記電極のうち少なくとも1つの表面を被覆することを特徴とする発光デバイス。

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E

Fターム (11件)：

5F041AA34 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA86 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041EE25