特許
J-GLOBAL ID：200903008889043098
超音波トランスデューサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225935
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070496
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 小型化に適した超音波トランスデューサの構造とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 圧電素子1と、圧電素子1の一方の面に形成された音響整合層12と、圧電素子1の他方の面に形成された背面制動材13と、少なくとも2つの電極端子と1つの配線パターンとをもつ実装基板と、を基本構成要素とする超音波トランスデューサ11において、超音波トランスデューサ11の、実装基板上の2つの電極端子22,23は互いに絶縁されていると同時に一方は配線パターンと同電位となっており、実装基板上の第1の電極端子22と圧電素子1の一方の面に形成された表面電極3とが電気的に接続されており、実装基板上の第2の電極端子23と圧電素子1の他方の面に形成された表面電極4とが配線パターンを介して電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
圧電素子と、圧電素子の一方の面に形成された音響整合層と、圧電素子の他方の面に形成された背面制動材と、少なくとも2つの電極端子と1つの配線パターンとをもつ実装基板と、を基本構成要素とする超音波トランスデューサにおいて、超音波トランスデューサの、実装基板上の2つの電極端子は互いに絶縁されていると同時に一方は配線パターンと同電位となっており、実装基板上の第1の電極端子と圧電素子の一方の面に形成された表面電極とが電気的に接続されており、実装基板上の第2の電極端子と圧電素子の他方の面に形成された表面電極とが配線パターンを介して電気的に接続されていることにより構成されていることを特徴とする超音波トランスデューサ。
IPC (3件)：
H04R 17/00 330
, A61B 8/00
, G01N 29/24
