半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047545
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252344
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】コレクタトップHBTにおける電流増幅率のコレクタサイズ依存性を低減する。【解決手段】コレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベース電極11がイオン打ち込みがなされていないベース層5の側面およびイオン打ち込みがなされた高抵抗寄生エミッタ領域14の表面に接するようにする。

請求項（抜粋）：

コレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタを有し、ベース層は高抵抗寄生エミッタ領域の全てを覆っていず、ベース電極は上記高抵抗寄生エミッタ領域上に存在し、かつ上記ベース層の側面と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/737 , H01L 21/331 , H01L 21/28 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 29/41 , H01P 1/00

FI (6件)：

H01L 21/28 Z , H01P 1/00 Z , H01L 29/72 H , H01L 27/04 F , H01L 27/06 101 D , H01L 29/52

Fターム (87件)：

4M104AA05 , 4M104AA07 , 4M104BB06 , 4M104BB11 , 4M104BB15 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104DD68 , 4M104DD72 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104DD91 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104FF00 , 4M104FF02 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104GG00 , 4M104GG06 , 4M104GG18 , 4M104HH00 , 5F003AP04 , 5F003AP05 , 5F003BA11 , 5F003BA92 , 5F003BC08 , 5F003BC90 , 5F003BE02 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BF90 , 5F003BH01 , 5F003BH02 , 5F003BH07 , 5F003BH08 , 5F003BH18 , 5F003BH99 , 5F003BJ18 , 5F003BJ20 , 5F003BJ99 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP21 , 5F003BP23 , 5F003BP32 , 5F003BP94 , 5F003BP96 , 5F003BS08 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AV05 , 5F038AZ03 , 5F038AZ06 , 5F038BE07 , 5F038BH16 , 5F038DF01 , 5F038DF02 , 5F038EZ02 , 5F038EZ04 , 5F038EZ20 , 5F082AA13 , 5F082AA25 , 5F082BA21 , 5F082BA35 , 5F082BA36 , 5F082BC03 , 5F082BC13 , 5F082BC18 , 5F082BC20 , 5F082CA02 , 5F082CA03 , 5F082DA02 , 5F082DA03 , 5F082EA09 , 5F082EA14 , 5F082EA18 , 5F082EA23 , 5F082FA20 , 5F082GA04 , 5J011CA15

引用特許：

審査官引用 (8件)

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106763 出願人：株式会社東芝
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-345623 出願人：日本電気株式会社
特開昭62-049661

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