特許

J-GLOBAL ID：200903008893813655

半導体発光装置

発明者： 井出 聡 ,  山本 剛之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309584
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162085
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 半導体発光装置に関し、導波層が厚くても縦方向の導波を基底モードで安定に行うことができるようにして、レーザ光の広がりを小さく抑え、光ファイバとの結合効率を向上できるようにする。【構成】 圧縮歪み量子井戸活性層34及びそれを挟むコア部分層33及び35で構成されたコア層の基板側並びに表面側のそれぞれに高屈折率クラッド層32(基板側)と高屈折率クラッド層36(表面側)、そして、低屈折率クラッド層31(基板側)と低屈折率クラッド層37(表面側)からなる積層体が形成されている。

請求項（抜粋）：

活性層を含むコア層の基板側並びに表面側のそれぞれに高屈折率クラッド層及び低屈折率クラッド層からなる積層体が形成されてなることを特徴とする半導体発光装置。