誘電体分離型半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-319553
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134691
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】誘電体分離型半導体装置の出力スイッチ素子接続用中点端子の電位変動により寄生容量に流れる変位電流を抑制し、駆動回路の動作を安定化させる。【解決手段】絶縁基板70上に島状に区分されて形成されたN型の第1半導体領域711 と、第1半導体領域の周囲を囲む誘電体70b により絶縁分離する領域と、外部の高電源との間に電流吐出し用の出力スイッチ素子61が接続され、接地電位との間に電流吸い込み用の出力スイッチ素子62が接続される中点端子54と、制御回路用電圧を昇圧する昇圧回路59と、第1半導体領域内に形成され、昇圧電圧が動作電源として供給され、出力スイッチ素子61の制御電極に駆動信号を供給するPMOSトランジスタM5とを具備し、第1半導体領域と絶縁基板の台基板70a との間に存在する寄生容量82への充放電電流を分散して流す複数のコンタクト領域75a を形成した。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上の半導体層にそれぞれ島状に区分されて形成された第1導電型の第1の半導体領域および第2の半導体領域と、前記各半導体領域のそれぞれの周囲を囲むように前記半導体層に形成された誘電体により絶縁分離する素子分離領域と、外部の高電源との間に電流吐出し用の第1の出力スイッチ素子が接続され、接地電位との間に電流吸い込み用の第2の出力スイッチ素子が接続される中点端子と、制御回路用電源電圧を昇圧し、昇圧電圧を供給する昇圧回路と、前記第1の半導体領域内に形成され、前記昇圧電圧が動作電源として供給され、接地電圧基準の第1の駆動制御信号入力をレベルシフトした駆動信号を前記第1の出力スイッチ素子の制御電極に供給する出力駆動用素子を備えた第1の駆動回路と、前記第2の半導体領域内に形成され、接地電圧基準の第2の駆動制御信号入力に応じて前記第2の出力スイッチ素子の制御電極に駆動信号を供給する第2の駆動回路とを具備し、前記第1の半導体領域と前記絶縁基板の台基板との間に存在する寄生容量への充放電電流を分散して流す複数のバックゲートコンタクト領域を前記半導体領域上に形成したことを特徴とする誘電体分離型半導体装置

IPC (6件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 27/08 331 E , H01L 27/04 H , H01L 27/04 F , H01L 27/08 102 B , H01L 29/78 626 B

Fターム (28件)：

5F038BG03 , 5F038BH18 , 5F038BH19 , 5F038CA05 , 5F038CA07 , 5F038CA09 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AB04 , 5F048AB07 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BC03 , 5F048BE03 , 5F048BE09 , 5F048BF16 , 5F048BF17 , 5F048BG05 , 5F110AA15 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110GG02 , 5F110GG60 , 5F110NN62 , 5F110NN65

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置、それを用いた相関演算装置、AD変換器、DA変換器、信号処理システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-265039 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-141580 出願人：株式会社東芝

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