特許
J-GLOBAL ID：200903008897383930
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159716
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153613
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 選択酸化に先立ちエッチングにより溝を形成しその溝を含む領域を選択酸化し、この溝の側面をチャネル部とする工程を有する半導体装置において、ゲ-ト絶縁膜8の寿命向上が達成できる半導体装置を得ることにある。【解決手段】 窒化シリコン膜63をマスクとして溝64の部分を熱酸化する。この酸化によりLOCOS酸化膜65が形成され、同時にLOCOS酸化膜65によって喰われたn- 型エピタキシャル層2の表面にU溝50が形成され、かつ溝50の形状が確定する。この時、ケミカルドライエッチング工程で形成された屈曲部709は、溝の側面に屈曲710として残る。この後にゲ-ト絶縁膜8を形成するが、ゲ-ト絶縁膜8の厚さを屈曲部710を境界にして溝底部側より溝開口部側の方を厚く形成する。
請求項（抜粋）：
主表面側に表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成され、前記半導体基板の主表面から次第に深くなる傾斜部分、前記傾斜部分よりも深く形成された底面、前記傾斜部分と前記底面とを結ぶ側面、及び前記傾斜部分と前記側面との境界にあり屈曲した屈曲部、からなる溝部と、前記溝部表面に形成され、前記溝部に接した第1の面と、前記第1の面の裏面の第2の面を有し、前記第2の面における前記屈曲部付近の曲率半径が、前記第1の面における前記屈曲部に接する部分の曲率半径よりも大きいゲート絶縁膜と、前記ゲ-ト絶縁膜上に形成されるゲ-ト電極、前記溝部の前記側面に形成されるベース領域、前記ベ-ス領域内に形成されるソ-ス領域、及び前記半導体基板に接続されたドレイン電極、からなるMOSトランジスタとを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 21/94 A
, H01L 29/78 652 K
