特許

J-GLOBAL ID：200903008902049157

半導体装置およびその製造方法

発明者： 船田 佳嗣 ,  松井 孝二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-106122
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306738
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】薄型に有利な半導体装置を提供すること、およびこれを低コストで、樹脂の無駄なく、しかも外観および信頼性を損なうことなく製造する方法を提供すること。【構成】半導体素子1bおよびこれと電気的に接続されたリード基材1d表面に表面処理層を有し、さらに該表面処理層の外側に樹脂フィルム1aが積層され封止されいている。

請求項（抜粋）：

半導体素子およびこれと電気的に接続されたリード基材表面に表面処理層を有し、さらに該表面処理層の外側に樹脂フィルムが積層され封止されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 W