特許

J-GLOBAL ID：200903008907564726

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松谷 毅 ,  中村 実也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-219410
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074242
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法に関し、分離用の不純物拡散領域は活性層基板全体に亙って確実に基板間絶縁膜に達するようにし、しかも、ウエルは基板間絶縁膜に達しないか、若し、達した場合でも、表面不純物濃度に影響を与えないようにしようとする。【構成】 SOI基板に於けるn型シリコン活性層基板23に選択的に形成され表面から下地である基板間絶縁膜22に到達してpn接合分離を行うp型不純物拡散領域27と、p型不純物拡散領域27に依ってpn接合分離されたn型シリコン活性層基板23内に選択的に且つ表面から下地である基板間絶縁膜22へと延びるとともに前記基板間絶縁膜22とは間隔をおくように形成されるか、或いは、表面不純物濃度に影響を与えない範囲で基板間絶縁膜22に接して形成されたp型ウエル29とを備える。

請求項（抜粋）：

SOI基板に於ける一導電型半導体活性層基板に選択的に形成され表面から下地である基板間絶縁膜に到達してpn接合分離を行う反対導電型不純物拡散領域と、前記反対導電型不純物拡散領域に依ってpn接合分離された前記一導電型半導体活性層基板内に選択的に且つ表面から下地である前記基板間絶縁膜へと延びると共に前記基板間絶縁膜とは間隔をおくように形成された反対導電型或いは一導電型ウエルとを備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/761 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 J ,  H01L 27/08 321 B