不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279308
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121702
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】浮遊ゲート電極を有する記憶素子に接続されたソース領域またはドレイン領域に電圧を印加し,浮遊ゲート電極中に蓄積された電荷をトンネル電流によって抜き取ることにより消去を行うメモリトランジスタ,周辺回路を構成する周辺トランジスタ,および入出力回路を構成する入出力トランジスタから成る不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法に関し,工程の低温化を維持したままESD耐性を確保する。【構成】メモリトランジスタのソース領域20およびドレイン領域21,入出力トランジスタの金属配線32,33と接続するソースコンタクト領域22およびドレインコンタクト領域23を深く形成した後に,入出力トランジスタのソース領域25およびドレイン領域26,周辺トランジスタのソース領域27およびドレイン領域28を形成する。

請求項（抜粋）：

浮遊ゲート電極を有する記憶素子に接続されたソース領域またはドレイン領域に電圧を印加し,該ソース領域またはドレイン領域と浮遊ゲート電極とのオーバーラップ部から,浮遊ゲート電極中に蓄積された電荷をトンネル電流によって抜き取ることにより消去を行うメモリトランジスタ,周辺回路を構成する周辺トランジスタ,および入出力回路を構成する入出力トランジスタから成る不揮発性半導体記憶装置であって,メモリトランジスタのソース領域および/またはドレイン領域の拡散深さが,周辺トランジスタおよび入出力トランジスタのソース領域およびドレイン領域の拡散深さよりも深く形成されており,入出力トランジスタには,ソース領域に隣接してメモリトランジスタのソース領域および/またはドレイン領域の拡散深さとほぼ同じ拡散深さを有する,金属配線と接続するソースコンタクト領域,およびドレイン領域に隣接してメモリトランジスタのソース領域および/またはドレイン領域の拡散深さとほぼ同じ拡散深さを有する,金属配線と接続するドレインコンタクト領域が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平3-066171
特開昭64-089099
特開平1-101666

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