特許
J-GLOBAL ID：200903008915250234
デュアルゲート薄膜トランジスタを用いた電磁放射線画像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-520866
公開番号（公開出願番号）：特表平9-511361
出願日： 1994年02月11日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】薄膜トランジスタ(TFT)のアレイ上に置かれたエネルギ吸収層を有する電磁放射線画像装置。薄膜トランジスタの各々はデュアルゲートである。下位ゲートは行選択を提供する一方、同装置の上位ゲートは、トランジスタによって導かれた電流を調節する。デュアルゲートを利用することにより、先行技術の画像装置よりもトランジスタ数の削減が達成でき、これにより、製造の歩留まりが向上する。さらに、デュアルゲートトランジスタの使用は、トランジスタのバイアスポイントの選択において、向上した多才性を提供する。
請求項（抜粋）：
a)基板と、b)前記基板上に配置された複数の薄膜トランジスタであって、各々が、 半導体チャネルと、 前記半導体チャネルの下にあり、前記トランジスタのそれぞれの行を周期的に作動可能にするための下位ゲート電極と、 前記半導体チャネルの上にあり、前記トランジスタのそれぞれの行が作動可能な時に、前記半導体チャネルを通って流れる電流を調節するための上位ゲート電極と、 ドレイン電極およびソース電極と を有し、前記複数の薄膜トランジスタの前記ドレイン電極の各々が、出力線を形成するために互いに連結され、前記複数の薄膜トランジスタの前記ソース電極の各々が、データ線を形成するために互いに連結された複数の薄膜トランジスタと、c)前記複数の薄膜トランジスタの上にあり、電磁放射線にさらされることによって電荷を発生するエネルギ吸収層と、d)電位差により、前記電荷が前記上位ゲート電極に集められ、それによって、前記電磁放射線の強度に比例して前記半導体チャネルを通って流れる前記電流を調節するように、前記エネルギ吸収層の上にある、電位源に接続された上部電極と、e)前記電流を測定するために前記データ線の各々に接続され、前記電磁放射線の強度を検出する検出手段と を具備する電磁放射線画像装置。
IPC (4件)：
H01L 27/14
, H01L 29/786
, H01L 31/02
, H04N 5/32
H01L 27/14 K
, H04N 5/32
, H01L 29/78 613 Z
, H01L 31/02 A
