特許

J-GLOBAL ID：200903008920896657

半導体/誘電体の界面に面間酸化物層を形成する方法

発明者： ウェンヘ・リン ,  チョン・ドン ,  キング・レオン・ペイ ,  サイモン・チョーイ ,  メイ-シェン・チョウ ,  ティング・チェオン・アング
出願人/特許権者： チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-300117
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198530
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】界面特性、および汚染物質に対する障壁(バリア)性に優れたゲート誘電体を、膜厚の均一性、制御性良く製造する方法を提供する。【解決手段】半導体/誘電体界面に界面間酸化物層を形成する方法が開示されている。この方法は次のステップを備えている。すなわち、ゲート誘電体を堆積させるべき半導体表面を有する部分的に加工した半導体ウェハが提供される。これらの半導体表面を清浄化して汚染物質及び粒子を除去する。これらの半導体表面上に薄い誘電層を堆積させる。次に、薄い誘電層の下方で酸化物を成長させるためにガス状の環境内で半導体ウェハを焼鈍する。

請求項（抜粋）：

半導体/誘電体の界面に界面間酸化物層を形成する方法において、ゲート誘電体を堆積すべき半導体表面を有する、部分的に加工した半導体ウェハを提供するステップと、該半導体の表面を清浄化して汚染物質及び粒子を除去するステップと、薄い誘電層を堆積させるステップと、前記薄い誘電層の下方で酸化物層を成長させ得るように前記半導体ウェハをガス状の環境内で焼鈍するステップとを備える、方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (22件)：

5F058BA01 ,  5F058BA06 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BE03 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF30 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140BD01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD10 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10