特許

J-GLOBAL ID：200903008922618301

半導体集積回路およびその作製方法

発明者： 須沢 英臣 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-137988
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321338
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおいて、2層目配線の段切れを防止する。【構成】 概略三角形状の絶縁物110および111を窒化珪素膜107で被覆されたゲイト電極およびそれの延長の配線105、106の側面に形成する。この結果、ゲイト配線乗り越え部における段差が緩やかになり、2層目配線116が、ゲイト配線を乗り越える部分で段切れすることを抑制する。

請求項（抜粋）：

Nチャネル型の薄膜トランジスタを有する半導体集積回路において、ゲイト電極およびゲイト電極から延長するゲイト配線の少なくとも上面に密着して、窒化珪素膜が存在し、該窒化珪素膜に密着して、ゲイト電極およびゲイト配線の側面に概略三角形状の絶縁物が設けられており、該半導体集積回路のNチャネル型薄膜トランジスタは、ソース/ドレインに隣接し、前記概略三角形状の絶縁物の下部に前記ソース/ドレインよりもN型不純物の濃度の低い不純物領域が設けられていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 G