特許

J-GLOBAL ID：200903008930051698

半導体メモリ

発明者： 平本 俊郎 ,  桜井 貴康 ,  川口 博 ,  犬飼 貴士
出願人/特許権者： 財団法人生産技術研究奨励会
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111157
公開番号（公開出願番号）：特開2002-304889
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 電流読み出し型の半導体メモリを低電圧・高速化した際に問題となるスタンバイ時のリーク電流を低減すること。【解決手段】 電源および接地間に接続されたMOSFETで構成された電流読み出し型メモリセル11回路と、このメモリセル回路11に直列に接続され、前記メモリセル回路11を構成するMOSFETより小さなリーク電流を有するMOSFETで構成されたリーク遮断スイッチ素子18と、前記メモリセル回路11の情報保持ノード19、20に記憶された情報が制御スイッチを介して供給される不揮発性メモリ素子からなる

請求項（抜粋）：

電源電位および接地電位間に接続されたMOSFETで構成された電流読み出し型メモリセル回路と、このメモリセル回路に直列に接続され、前記メモリセル回路を構成するMOSFETより小さなリーク電流を有するMOSFETで構成されたリーク遮断スイッチ素子と、前記メモリセル回路の情報保持ノードに制御スイッチを介して接続された不揮発性メモリ素子からなることを特徴とする半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/41 ,  G11C 11/22 501

FI (2件)：

G11C 11/22 501 A ,  G11C 11/40 Z

Fターム (7件)：

5B015HH04 ,  5B015JJ05 ,  5B015KA06 ,  5B015KA10 ,  5B015QQ01 ,  5B015QQ03 ,  5B015QQ17