特許
J-GLOBAL ID：200903008934524000

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
田淵 勝也

田淵 勝也 について

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藤島 直人

藤島 直人 について

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北村 睦美

北村 睦美 について

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杉 祥夫

杉 祥夫 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-366105
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249650
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 従来の耐圧80V用の横型トレンチパワーMOSFETよりも簡素なプロセス工程で製造可能であり、かつ従来の80Vよりも低い耐圧用の横型パワーMOSFETよりもデバイスピッチが小さくて単位面積当たりのオン抵抗が小さいこと。【解決手段】 トレンチ51の側面に沿うゲート酸化膜59を薄く均一な厚さとする。また、選択酸化により、トレンチ51の底面に沿うゲート酸化膜83を、トレンチ側面のゲート酸化膜59よりも厚く、かつトレンチ底面の端部からドレインポリシリコン63に向かって連続的に厚くなるように形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板に設けられたトレンチと、前記トレンチの外側の基板表面領域に形成された第2導電型のソース領域と、前記トレンチの外側で前記ソース領域の下側に形成された第1導電型のベース領域と、前記ベース領域の下側で前記トレンチの側部に沿って前記トレンチの外側に形成された第2導電型のドリフト領域と、前記トレンチの底部に形成された第2導電型のドレイン領域と、前記トレンチの側部および底部に沿って前記トレンチの内側に形成され、かつ前記トレンチの側部よりも底部の方が厚いゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の内側に形成された第1の導電体と、前記第1の導電体の内側に層間絶縁膜を介して形成され、かつ前記ドレイン領域と電気的に接続する第2の導電体と、前記第1の導電体に電気的に接続するゲート電極と、前記ソース領域に電気的に接続するソース電極と、前記第2の導電体に電気的に接続するドレイン電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (7件)：
H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 653 B ,  H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 301 V ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 102 C
Fターム (50件)：
5F048AA05 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB16 ,  5F048BB19 ,  5F048BC03 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD05 ,  5F048BD07 ,  5F048BE03 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AB04 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140BB04 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BF45 ,  5F140BG27 ,  5F140BG38 ,  5F140BH05 ,  5F140BH09 ,  5F140BH10 ,  5F140BH14 ,  5F140BH25 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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