特許
J-GLOBAL ID：200903008934689352

洗浄デバイスを含むリソグラフィ装置、および光学エレメントを洗浄するための方法

発明者：
ヴァン ハーペン,マーテン,マリヌス,ヨハネス,ウィルヘルムス

ヴァン ハーペン,マーテン,マリヌス,ヨハネス,ウィルヘルムス について

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クランダー,デルク,ジャン,ウィルフレッド

クランダー,デルク,ジャン,ウィルフレッド について


出願人/特許権者：
エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.

エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-543220
公開番号（公開出願番号）：特表2009-517880
出願日： 2006年12月01日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
EUVリソグラフィ装置が、EUV放射源と、光学エレメント(50)と、洗浄デバイス(95)とを含む。洗浄デバイス(95)は、水素ラジカル源(103)と、水素ラジカル源(103)に連絡する流管(104)とを含む。洗浄デバイス(95)は、水素ラジカルの流れ(96)を提供するように構成され、流管(104)は、例えばコレクタミラー(50)を洗浄するために、リソグラフィ装置内部の所定の位置で水素ラジカル流(96)を提供するように構成される。
請求項（抜粋）：
EUV放射源と、 光学エレメントと、 水素ラジカルの流れを提供する洗浄デバイスと を備えるEUVリソグラフィ装置であって、前記洗浄デバイスが、 水素ラジカル源と、 前記水素ラジカル源に連絡する流管と を備え、前記流管が、前記リソグラフィ装置内部の所定の位置で前記水素ラジカル流を提供するように構成され、水素ラジカルに露出される前記洗浄デバイスの少なくとも一部分が、≦0.02の水素ラジカル表面再結合係数を有する材料を備える EUVリソグラフィ装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (4件)：
H01L21/30 531A ,  H01L21/30 531S ,  H01L21/30 503G ,  G03F7/20 521
Fターム (15件)：
5F046AA22 ,  5F046BA05 ,  5F046CB01 ,  5F046CB02 ,  5F046CB03 ,  5F046CB22 ,  5F046CB23 ,  5F046CB24 ,  5F046DA04 ,  5F046DA27 ,  5F046GA03 ,  5F046GA07 ,  5F046GA14 ,  5F046GB01 ,  5F046GC03
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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