特許
J-GLOBAL ID：200903008951233699
窒化物系化合物半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-027982
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229639
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 高密度欠陥領域を周期的に有するという半導体基板の特質を利用した窒化物系化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 本窒化物系半導体レーザ素子10は、n型GaN基板12上に、n型GaN層14、n型AlGaNクラッド層16、n型GaN光導波層18、多重量子井戸構造を有する活性層20、p型GaN光導波層22、p型AlGaNクラッド層24、及びp型GaNコンタクト層26の積層構造を備えている。n型GaN基板12の高密度欠陥領域のコア部12aの一方の列には、直径50μmの貫通孔32が設けられている。貫通孔32には、第3の電極34が設けてある。従来通り、p側電極26とn側電極28との間に駆動電流を印加しつつ、p側電極26と第3の電極34との間に周波数数百MHz〜数GHzの高周波電流を印加する。駆動電流に高周波電流を重畳させることより、モードホッピング雑音を低減できる。
請求項（抜粋）：
結晶欠陥密度が周囲より高い領域として、周期的な基板面上配列で基板を貫通している高密度欠陥領域を有する半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備え、第1及び第2の電極が積層構造上の所定の位置に設けられた窒化物系化合物半導体素子であって、基板が、高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域の基板を貫通する、又は未貫通するように設けられた孔に埋め込まれた第3の電極を備え、他方の電極と第3の電極と間に電流を供給することにより素子特性を制御するようにしたことを特徴とする窒化物系化合物半導体素子。
IPC (3件)：
H01S 5/042 612
, H01S 5/062
, H01S 5/323 610
H01S 5/042 612
, H01S 5/062
, H01S 5/323 610
5F073AA45
, 5F073AA61
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA24
, 5F073DA30
, 5F073DA35
, 5F073EA27
, 5F073GA24
