特許

J-GLOBAL ID：200903008951248602

半導体装置

発明者： 辻 信昭
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234723
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064286
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 フィールド絶縁膜の素子孔にPN接合を形成した半導体装置において、PN接合の寸法ばらつきの低減と逆方向特性の改善を可能にする。【解決手段】 フィールド絶縁膜の素子孔を全周又は一部区間にわたって覆うようにSiO2 等の絶縁膜の上にポリSi等の導電材層17を重ねて閉ループ状の積層を形成し、この積層に対して自己整合的に不純物ドープ領域18,18Aを形成して素子孔内の半導体領域との間にPN接合を形成する。積層の内方端縁17aを素子孔の縁部14aより内側に配置することによりPN接合を素子孔の縁部14aより内側に終端させる。領域18,18Aは、抵抗領域、MOS型トランジスタのドレイン領域、バイポーラトランジスタのコレクタ領域等として利用可能である。

請求項（抜粋）：

一主表面を有する半導体基板と、前記一主表面に形成された比較的厚い第1の絶縁膜であって、前記一主表面の一部に対応した素子孔を有するものと、前記素子孔の縁部の全周にわたって該縁部を覆うように比較的薄い第2の絶縁膜の上に導電材層を重ねて形成された閉ループ状の積層と、この積層に対して自己整合的に形成された不純物ドープ領域であって、前記素子孔内の半導体領域との間にPN接合を形成するものとを備え、前記積層の内方端縁を前記素子孔の縁部の全周にわたって該縁部より内側に配置することにより前記PN接合を前記素子孔の縁部の全周にわたって該縁部より内側に終端させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/04 R ,  H01L 21/76 M ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-095562
  
• 特開昭59-145560
  
• 特開平3-239368
  
• 特開平4-177724
  
• 特開昭62-229880