特許

J-GLOBAL ID：200903008956945735

マスクパターンの形成方法、露光装置、利得結合分布帰還型レーザ、及び光伝送システム

発明者： 平松 卓磨 ,  下中 淳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-047217
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251216
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 多光束干渉型露光に特有の正弦波状の露光光強度分布のコントラスト低下を改善してデューティの制御性を著しく高め、さらに、露光中に光ブリーチ性の物質の表面側からの反射光強度をモニターしながら露光量を調整してより精密にレジストマスクのデューティあるいはサイズの制御を行い、線幅を高精度で制御することを課題とする。【解決手段】 基板に投射光を入射し、前記基板からの反射光強度を検出することによって、前記反射光強度の時間変化に基づき露光時間を設定する。

請求項（抜粋）：

基板上に周期的に配列されたパターンを形成するためのフォトレジストからなるマスクパターンを形成する際、少なくとも前記基板上にフォトレジスト膜及びフォトブリーチ性を有する膜を形成した後、コヒーレント光源からの光束を分岐し、干渉させて前記基板を露光して、前記フォトブリーチ性を有する膜及びフォトレジスト膜を感光させてなるマスクパターンの形成方法において、前記基板に投射光を入射し、前記基板からの反射光強度を検出することによって、前記反射光強度の時間変化に基づき露光時間を設定してなることを特徴とするマスクパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 528 ,  G03F 7/20 521