特許
J-GLOBAL ID:200903008957580242

圧電デバイス及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-275684
公開番号(公開出願番号):特開平11-112268
出願日: 1997年10月08日
公開日(公表日): 1999年04月23日
要約:
【要約】【課題】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスにおいて、封止後に周波数調整可能な構造で、気密性の高い安価な小型薄型の圧電デバイスを提供する。【解決手段】半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスにおいて、半導体集積回路はセラミックで形成されたベースにフリップチップボンディングで搭載され、半導体集積回路上に形成されたバンプと、ベース上に形成された電極パターンが電気的に接続されている構造を有し、更に圧電振動子は、ベースと半導体集積回路との間に配置され、半導体集積回路上に形成された圧電振動子接続用のバンプと電気的に接続されている構造を有する表面実装タイプの圧電デバイス。
請求項(抜粋):
半導体集積回路と圧電振動子とをパッケージに内蔵した圧電デバイスにおいて、前記半導体集積回路はセラミックで形成されたベースにフリップチップボンディングで搭載され、前記半導体集積回路上に形成されたバンプと、前記ベース上に形成された電極パターンが電気的に接続されており、前記圧電振動子は、前記ベースと前記半導体集積回路との間に配置され、前記半導体集積回路上に形成された前記圧電振動子接続用のバンプと電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。
IPC (5件):
H03H 9/10 ,  H03B 5/32 ,  H03H 3/02 ,  H03H 9/02 ,  H03H 9/17
FI (5件):
H03H 9/10 ,  H03B 5/32 H ,  H03H 3/02 B ,  H03H 9/02 K ,  H03H 9/17 A

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