特許

J-GLOBAL ID：200903008958547184

半導体デバイス製造用研磨剤及び該研磨剤を用いた研磨方法

発明者： ▲すくも▼田 篤 ,  高島 正之
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044825
公開番号（公開出願番号）：特開2000-239651
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスを構成する配線材料用金属膜を研磨する工程において、研磨後の金属膜表面にスクラッチと呼ばれる微小な傷や、ディッシングと呼ばれる凹みを発生させることがなく、配線材料用金属膜やバリアメタルを半導体デバイス製造に必要な速度で研磨でき、また、研磨粒子が研磨処理中や保管中に沈降や凝集するといった問題を発生させることのない研磨剤、及び該研磨剤を用いた研磨方法を提供する。【解決手段】 乳化剤及び分散剤のいずれをも用いることのないエチレン性不飽和単量体の乳化重合により得られる重合体からなる樹脂粒子及び無機化合物からなる粒子とを含み、金属膜を研磨する用途に用いる半導体デバイス製造用研磨剤、及び、半導体デバイス製造時の金属膜を研磨する工程において、上記の研磨剤を用いる研磨方法。

請求項（抜粋）：

乳化剤及び分散剤のいずれをも用いることのないエチレン性不飽和単量体の乳化重合により得られる重合体からなる樹脂粒子及び無機化合物からなる粒子とを含み、金属膜を研磨する用途に用いる半導体デバイス製造用研磨剤。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (4件)：

C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 D

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02