特許
J-GLOBAL ID:200903008968264288

積層セラミック素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-092817
公開番号(公開出願番号):特開2005-285806
出願日: 2004年03月26日
公開日(公表日): 2005年10月13日
要約:
【課題】 多層化あるいは大型化しても良好な製品を得ることができ、特に積層圧電素子に適した積層セラミック素子の製造方法を提供する。【解決手段】 セラミック層の原料を含むセラミック前駆体層と、内部電極層の原料として金属銅を含む内部電極前駆体層とを交互に積層した積層体を形成したのち、加熱して脱脂処理する。その際、不活性ガスと、7mol%以上50mol%以下の水蒸気と、必要に応じて水素とを含む雰囲気ガスを導入し、酸素分圧をp(O2 )≦(25331×Kp)2/3 の範囲内に調整する。p(O2 )は酸素分圧、Kpは水の解離平衡定数を表し、単位はPaである。これにより金属銅の酸化を抑制しつつ、バインダーを十分に分解除去することができ、残留炭素を少なくすることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
セラミック層の原料を含むセラミック前駆体層と、内部電極層の原料として金属銅を含む内部電極前駆体層とを交互に積層した積層体を、加熱して脱脂する工程を含み、 この工程は、不活性ガスと7mol%以上50mol%以下の水蒸気とを含む雰囲気ガスを導入し、式1に示した酸素分圧雰囲気で行う ことを特徴とする積層セラミック素子の製造方法。 (式1) p(O2 )≦(25331×Kp)2/3
IPC (4件):
H01L41/22 ,  H01G4/12 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187
FI (6件):
H01L41/22 Z ,  H01G4/12 364 ,  H01L41/08 Q ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101J
Fターム (7件):
5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE03 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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