特許
J-GLOBAL ID：200903008978036046
微細構造体の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260262
公開番号（公開出願番号）：特開2003-177280
出願日： 1993年01月04日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 V溝等の傾斜した側面を有する異なる溝深さの溝を含む微細構造体の形成方法を提供する。【解決手段】 基板31上の第1レジスト層32上に選択的に金属層33を形成し、金属層33を覆うように第2レジスト層34を堆積する。基板31をある方向にある角度傾斜させて、マスク36を用いて第1および第2レジスト層32,34を選択的に露光する。次に、基板31をある方向とは逆の方向の他の方向にある角度傾斜させて、マスク36を用いて第1および第2レジスト層32,34を選択的に露光する。第1および第2のレジスト層32,34を現像し、異なる溝深さを有するV溝を有するレジストパターンを形成し、これを用いて金属鋳型を形成し、この金属鋳型を用いて異なる溝深さのV溝を有する微細構造体を形成する。
請求項（抜粋）：
第1のV溝と、前記第1のV溝よりも小さい溝深さの第2のV溝とを有する微細構造体の形成方法であって、基板上に第1レジスト層を形成する工程と、前記第1レジスト層上の前記第2のV溝の形成予定領域に金属層を形成する工程と、前記第1レジスト層および前記金属層の表面上に第2レジスト層を形成する工程と、前記基板を、入射光に垂直な面に対して、ある方向にある角度傾斜させて、前記第1および第2レジスト層に前記第1および第2のV溝の各々の一方側面に相当する部分を選択的に露光する第1の露光工程と、前記第1の露光工程により露光した前記第1および第2レジスト層を有する基板を、入射光に垂直な面に対して、前記ある方向とは逆方向の他の方向にある角度傾斜させて、前記第1の露光工程により露光した前記第1および第2レジスト層について前記第1および第2のV溝の各々の他方側面に相当する部分を選択的に露光する第2の露光工程と、前記第1および第2の露光工程により露光した前記第1および第2レジスト層を現像して前記第1および第2のV溝を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを用いて、反転された形状のパターンを有する金属鋳型を形成する工程と、前記金属鋳型を用いて第1および第2のV溝を有する微細構造体を形成する工程とを含む、微細構造体の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (2件)：
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