特許

J-GLOBAL ID：200903008984369456

化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに電界効果トランジスタ

発明者： 田中 丈士 ,  土屋 忠厳 ,  高野 和人
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-137705
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334841
出願日： 2001年05月08日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 電流利得が大きく及び耐圧の高い電界効果トランジスタを提供すると共に、その電界効果トランジスタが得られる化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 電界効果トランジスタ用の化合物半導体エピタキシャルのうち、リンを含む化合物半導体層7の一部あるいは全部を、アンチモン化合物、ビスマス化合物、テルル化合物及びセレン化合物のうち少なくとも1種類とインジウム化合物とを原料の一部として同時に、あるいは交互に供給することにより、電流利得が大きく及び耐圧の高い電界効果トランジスタが得られる。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタ用の化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、電界効果トランジスタを形成してそのゲート電極に電圧を印加した時に空乏層が形成され、かつリンを含む化合物半導体結晶層が、アンチモン化合物、ビスマス化合物、テルル化合物及びセレン化合物のうち少なくとも1種類とインジウム化合物とが原料の一部として同時に供給されて気相成長した層であることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/201 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/203

Fターム (31件)：

5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045EE19 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL20 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F102HC07